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剖面拋光儀IB-09010CP
IB-09010CP剖面拋光儀是一款操作簡便的制樣設備，用於SEM, EPMA, 和SAM的樣品製備。它可以製備軟的、硬的和複合材料的樣品，損傷、污染和變形可以控制得非常小。依靠離子束轟擊製備樣品剖面，觀察範圍大、清潔而且適用於幾乎所有材料。
主要特点：
IB-09010CP剖面拋光機，可以一步到位地製備出鏡面樣品。它幾乎可以適用於各種材料，包括難以拋光的軟材料，如銅、鋁、金、焊料和聚合物等；以及難以切割的材料，如陶瓷和玻璃等。配套的高級CCD顯微鏡，可以精確地把樣品定位在幾個微米大小的剖面位置上。製備過程中，自動控制樣品搖擺，以避免產生表面劃痕。由於離子束水準入射、氬離子不會滲入樣品表面。
離子切片機/剖面/截面拋光儀原理
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離子剖面拋光儀是利用氬離子束直接對樣品進行侵蝕，形成所需觀察之斷面（如下圖左）。樣品放置於檔板下方，然後用垂直(Ar)離子束對樣品進行侵蝕加工。形成平整的Ｕ形垂直斷面（如下圖右），便可對樣品進行斷面觀察。離子剖面/截面拋光儀的優勢如下：
1.對斷面產生物理性破壞達到最小化
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2.完整保留樣品中的細節。
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3.對產品產生應力最小。
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4.不產生二次破壞，保持樣品原樣性
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5.全自動剖面製作，不須專業人員。
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離子剖面/截面/斷面切割製作
利用氬離子束垂直樣品進行剖面侵蝕
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離子剖面拋光純Si樣品斷面
樣品凸出擋板100μm，2小時切割深度可達700μm
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B-09010CP儀器的特點
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彩色液晶觸控式面板操作:彩色液晶屏顯示加工條件，一目了然。通過觸摸屏即可設定加工條件。
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標準配置的CCD相機，用於確定加工位置:屏幕畫面便於觀察，容易對準加工位置。
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- 離子加速電壓最大為８ｋV （選配）:提高了研磨速度。 標準的最大加速電壓為６ｋV。
實例分析 薄膜太陽能面板離子拋光製作與結晶導向分析
實例分析 薄膜太陽能面板剖面/截面離子切片製作與結晶導向分析
實例分析1 印刷電路板切片
| 金 |
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金 |
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| 鎳 |
鎳 |
| 銅 |
銅 |
| 傳統的機械拋光 |
使用SM-09010剖面拋光儀 |
| 金 |
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金 |
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| 鎳 |
鎳 |
| 銅 |
銅 |
實例分析2 紙張切片
| 使用剃刀片等製作紙張截面時，紙纖維的損傷無法避免。從圖中可以看出，使用CP製備的截面損傷較小。 |
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CP製備的截面（背散射電子圖像） |
C Kα (EDS) |
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Si Kα (EDS) |
Ca Kα (EDS) |
實例分析3金線銲接剖面
製備金等軟質材料的截面樣品時不會對其造成損傷，另外它還適合於對焊接結合部的焊點進行評估。 採用傳統機械研磨法製備樣品會損壞焊點，研磨的磨料嵌入金內部甚至會引起界面層剝離，形成研磨損傷，而採用截面拋光儀（CP）製備截面樣品則能避免這類損傷。
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背散射電子圖像 |
背散射電子圖像 |
技術參數
| 離子加速電壓 |
2 ∼ 6kV |
| 離子束直徑 |
500μm(FWHM) |
| 研磨速度 |
100μm/H (2小時的平均值，加速電壓:6kV，矽換算， 邊緣距離:100μm) |
| 搭載樣品最大尺寸 |
11mm（寬）×10mm（長）×2mm（厚） |
| 樣品移動範圍 |
X軸±10mm Y軸±10mm |
| 樣品旋轉角度調節範圍 |
±5º |
| 樣品加工擺角 |
±30º(專利申請中) |
| 操作方法 |
觸控式面板 |
| 使用氣體 |
氬氣(由質量流量控制器控制流量) |
| 壓力測試 |
潘寧真空計 |
| 主抽真空裝置 |
渦輪分子泵 |
| 輔抽真空裝置 |
機械泵 |
| 尺寸/重量 |
主機545 mm(寬)×550 mm(長)×420 mm(高) 64kg |
| 機械泵 |
150 mm(寬)×427 mm(長)×230.5 mm(高) 16kg |
| 選配件 |
加速電壓8 kV 單元、旋轉樣品台、高精度定位CCD相機 |
安裝條件
| 電源 |
單相100～120V±10%、50/60Hz、0.5～0.6kVA |
| 地線 |
獨立地線(100Ω以下) |
氬氣 |
使用圧力: 0.15±0.05MPa(1.0～2.0kg/cm²)
純度高於99.9999%(氬氣、氣瓶及調壓器由客戶自行準備。)
膠管接頭: JIS B0203 Rc 1/4 |
| 溫度 |
20～25℃(變動: 1℃/h以內) |
| 濕度 |
小於60% |
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